Главная   Карта сайта   Контакт   Обратная связь   Полезные ссылки  
Об объединении Продукция Услуги Разработки Поддержка


Оборудование для формирования и контроля топологических структур на фотошаблонах

Прецизионные генераторы изображений

Генераторы изображений для специальных приложений

Фотоповторители

Установки автоматического контроля топологии фотошаблонов

Установки лазерного устранения дефектов фотошаблонов

Установки контроля микроразмеров и координат топологии фотошаблонов

Оборудование для формирования и контроля топологических структур на полупроводниковых пластинах

Оборудование для непосредственного генерирования изображений на полупроводниковые пластины

Оборудование для проекционного переноса изображений на полупроводниковые пластины

Оборудование контактного переноса изображений на подложки и для организации двусторонней литографии

Широкоформатные степперы

Оборудование для контроля полупроводниковых пластин

Оборудование подготовки кристаллов к сборке

Зондовый контроль

Утонение пластин

Резка пластин на кристаллы

Кассетирование кристаллов

Сборочное оборудование

Монтаж кристаллов

Монтаж выводов

Cварка пластин

Предзащита ИС

Оборудование лазерной обработки
ЭМ-250K
ЭМ-247
ЭМ-290
ЭМ-6320

Микроскопия, оптика

Микроэлектроника

Материаловедение

Биология

Медицинская техника

Кардиология

Установка лазерной обработки ЭМ-290


Установка лазерной обработки предназначена для формирования сквозных отверстий в кристаллах из пьезокварца, ниобата лития, танталата лития, лангасита, лангатата, алюмооксидной керамики, без изменения физических свойств кристалла и лазерной резки подложек микросистемотехнических устройств (МСТУ). Потребителями оборудования являются предприятия микроэлектроники.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Толщина обрабатываемых пластин от 150 до 1000 мкм
Поле обработки 150х150 мм
Минимальный диаметр обрабатываемого отверстия 0.1 мм
Воспроизводимость положений границ вырезаемых отверстий не более 0.005 мм
Для пластин из пьезоматериалов отклонение диаметра входного отверстия от диаметра выходного отверстия не более 5 %
Максимальная величина скола не более 4 %
Время сверления отверстия диаметра 100 мкм в пластине пьезокварца толщиной 0.5 мм не более 30 с
Погрешность перемещения координатного стола на длине ±0,004 мм
Минимальная дискретность перемещений X, Y не более 0.001 мм
Воспроизводимость перемещений координатного стола по X, Y не более 0.004 мм
Электропитание и потребляемая мощность 400В; 50Гц; 3кВт
Габаритные размеры 2360х1100х1500 мм
Масса 1980 кг

English version
ПЛАНАР
Научно-производственный холдинг точного машиностроения «Планар»
Поиск по сайту
 
Выберите модель


Другие модели этого раздела.

© 2003 Планар
e-mail: planar_ovep@kbtem.by

www.redgraphic.com Дизайн и
программирование