Главная   Карта сайта   Контакт   Обратная связь   Полезные ссылки  
Об объединении Продукция Услуги Разработки Поддержка


Оборудование для формирования и контроля топологических структур на фотошаблонах

Прецизионные генераторы изображений

Генераторы изображений для специальных приложений

Фотоповторители

Установки автоматического контроля топологии фотошаблонов

Установки лазерного устранения дефектов фотошаблонов

Установки контроля микроразмеров и координат топологии фотошаблонов

Оборудование для формирования и контроля топологических структур на полупроводниковых пластинах

Оборудование для непосредственного генерирования изображений на полупроводниковые пластины

Оборудование для проекционного переноса изображений на полупроводниковые пластины

Оборудование контактного переноса изображений на подложки и для организации двусторонней литографии

Широкоформатные степперы

Оборудование для контроля полупроводниковых пластин

Оборудование подготовки кристаллов к сборке

Зондовый контроль

Утонение пластин

Резка пластин на кристаллы
ЭМ-2048А
ЭМ-2058
ЭМ-2115
ЭМ-2085В
ЭМ-225М
ЭМ-3027А
DAR6
DAR9
DAR10
ДАР9Н

Кассетирование кристаллов

Сборочное оборудование

Монтаж кристаллов

Монтаж выводов

Cварка пластин

Предзащита ИС

Оборудование лазерной обработки

Микроскопия, оптика

Микроэлектроника

Материаловедение

Биология

Медицинская техника

Кардиология

Установка отмывки полупроводниковых пластин ЭМ-3027А


Установка отмывки полупроводниковых пластин ЭМ-3027А предназначена для мойки струей воды, смешанной с воздухом, и сушки пластин после резки ее на кристаллы. В установке используется способ струйной гидродинамической очистки, заключающийся в подаче на очищаемую поверх-ность водяной струи, смешанной со сжатым воздухом.

Имеются три режима работы установки:
– мойка
– сушка
– автоматический
– мойка+сушка

В качестве моющего раствора используется деионизованная вода. Сушка производится в струе очищенного подогретого сжатого воздуха или инертного газа за счет центробежного эффекта с раскручиванием пластины до 3000 об/мин. В зависимости от режима работы управляющий контроллер выдаёт аналоговое задание скорости вращения центрифуги, а также обеспечивает заданные скорость и ускорение.
Программируемый режим перемещения сопла высокого давления позволяет осуществлять качественную очистку широкого диапазона типоразмеров кристаллов. Движение сопла может проходить по трём разным траекториям – по радиусу, по диаметру и смешанный. Для исключения аварийных ситуаций и повреждения отмываемых пластин управляющий контроллер отслеживает наличие в системе воды, вакуума и воздуха.
Для отсоса тумана, образующегося при ударе струи высокого давления об очищаемую поверхность, в конструкции установки предусмотрен патрубок, к которому присоединяется цеховой вентиляционный отсос.

Установка выполнена в напольном исполнении со своими амортизаторами.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Максимальный диаметр обрабатываемых пластин 200 мм
Диапазон задания времени очистки от 10 до 150 с
Диапазон задания времени сушки от 10 до 150 с
Частота вращения центрифуги от 500 до 3000 об/мин
Давление сжатого воздуха от 0,5 до 0,6 МПа
Расход сжатого воздуха, max 3,0 м3/ч
Давление деионизованной воды от 0,2 до 0,3 МПа
Расход деионизованной воды, max 100 л/ч
Вакуумная магистраль с остаточным давлением 0,4 МПа
Электропитание и потребляемая мощность 230 В, 50 Гц, 1,2 кВт
Габаритные размеры 600х500х1250 мм
Масса, не более 100 кг

English version
ПЛАНАР
Научно-производственный холдинг точного машиностроения «Планар»
Поиск по сайту
 
Выберите модель


Другие модели этого раздела.

© 2003 Планар
e-mail: planar_ovep@kbtem.by

www.redgraphic.com Дизайн и
программирование