Главная   Карта сайта   Контакт   Обратная связь   Полезные ссылки  
Об объединении Продукция Услуги Разработки Поддержка


Оборудование для формирования и контроля топологических структур на фотошаблонах

Прецизионные генераторы изображений

Лазерные генераторы изображения

Автоматический контроль фотошаблонов

Контроль фотошаблонов

Лазерное устранение дефектов на шаблонах

Фотоповторители

Оборудование для формирования и контроля топологических структур на полупроводниковых пластинах

Автоматические установки совмещения и экспонирования

Установки совмещения и экспонирования

Контроль полупроводниковых пластин и подложек

Генератор изображений на полупроводниковых пластинах

Широкоформатные степперы

Оборудование подготовки кристаллов к сборке

Зондовый контроль
ЭМ-6070А
ЭМ-6520
ЭМ-6520-1
ЭМ-6190А
ЭМ-6290
УКФ

Утонение пластин

Резка пластин на кристаллы

Кассетирование кристаллов

Сборочное оборудование

Монтаж кристаллов

Монтаж выводов

Cварка пластин

Предзащита ИС

Оборудование лазерной обработки

Микроскопия, оптика

Микроскопия

Оптические компоненты

Медицинская техника

Кардиология

Реанимации и интенсивная терапия

Хирургия, травматология

Физиотерапия, неврология

Прессформы, координатные приводы, датчики

Прессформы

Линейные шаговые двигатели

Шаговые двигатели, преобразователи

Установка зондовая ЭМ-6520-1


Полуавтоматическая установка зондовая ЭМ-6520-1 предназначена для финишного и межоперационного контроля ИС и СБИС на пластине диаметром до 200 мм.

Установка обеспечивает:
● электрический контакт цепей измерителя с контактными площадками кристаллов ИС на пластине;
● обход кристаллов на пластине по традиционной схеме , а также по программируемым относительно базового кристалла точкам;
● маркирование кристаллов краской, в том числе свободных от кристаллв зон по периметру пластины.

Маркирование кристаллов производится как в позиции зондов, так и в позиции, смещенной относительно позиции зондов . Загрузка-выгрузка пластины и ее ориентация осуществляется вручную.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Максимальный диаметр обрабатываемых пластин 200мм
Максимальный размер кристалла 20х20мм
Погрешность контактирования кристалла на пластине ±10 мкм
Вакуум 0.04-0.03МПа
Электропитание и потребляемая мощность 230 В, 50 Гц, 0.8 КВт
Габаритные размеры, не более 800х700х1600 мм
Масса, не более 300 кг

English version
ПЛАНАР
Открытое акционерное общество «Планар»
Поиск по сайту
 
Выберите модель


Другие модели этого раздела.

© 2003 Планар
e-mail: planar@solo.by

www.redgraphic.com Дизайн и
программирование