Главная   Карта сайта   Контакт   Обратная связь   Полезные ссылки  
Об объединении Продукция Услуги Разработки Поддержка


Оборудование для формирования и контроля топологических структур на фотошаблонах

Прецизионные генераторы изображений

Лазерные генераторы изображения

Автоматический контроль фотошаблонов

Контроль фотошаблонов

Лазерное устранение дефектов на шаблонах

Фотоповторители

Оборудование для формирования и контроля топологических структур на полупроводниковых пластинах

Автоматические установки совмещения и экспонирования

Установки совмещения и экспонирования

Контроль полупроводниковых пластин и подложек

Генератор изображений на полупроводниковых пластинах

Широкоформатные степперы

Оборудование подготовки кристаллов к сборке

Зондовый контроль
ЭМ-6070А
ЭМ-6520
ЭМ-6520-1
ЭМ-6190А
ЭМ-6290
УКФ

Утонение пластин

Резка пластин на кристаллы

Кассетирование кристаллов

Сборочное оборудование

Монтаж кристаллов

Монтаж выводов

Cварка пластин

Предзащита ИС

Оборудование лазерной обработки

Микроскопия, оптика

Микроскопия

Оптические компоненты

Медицинская техника

Кардиология

Реанимации и интенсивная терапия

Хирургия, травматология

Физиотерапия, неврология

Прессформы, координатные приводы, датчики

Прессформы

Линейные шаговые двигатели

Шаговые двигатели, преобразователи

Установка субмикронного зондирования ЭМ-6070А


Установка субмикронного зондирования ЭМ-6070А предназначена для осуществления электрического контакта цепей измерителя с элементами топологии ИС и металлизированными шинами микронных и субмикронных размеров, для визуального наблюдения структур, а также для локализации отдельных элементов топологии во время диагностических исследований состояния внутренних блоков ИС в диапазоне нормальных и повышенных температур.
Предусмотрена возможность установки нагревателя полупроводниковых пластин для проведения исследований при повышенных температурах.
Использование ультразвукового резака позволяет локализовать отдельный элемент топологии путем перерезания металлизированных шин.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Диаметр полупроводниковой пластины до 200 мм
Размер кристалла (0,4 х 0,4) … (20 x 20) мм
Размер контактируемого элемента, не менее 0.8 мкм
Перемещение микроманипулятора по координатам X, Y, Z 10 мм
Чувствительность микроманипулятора 250 мкм/оборот
Чувствительность тонкой настройки 20 мкм/оборот
Перемещение при тонкой настройке 200 мкм
Крепление микроманипулятора к платформе постоянный магнит
Температура нагрева стола для п/п пластин 50 ... 150 °С
Увеличение микроскопа 20x … 2000x
Электропитание установки ~220 В, 50 Гц
Потребляемая мощность, не более 0,8 кВт
Вакуум с остаточным давлением 0,04 МПа

English version
ПЛАНАР
Открытое акционерное общество «Планар»
Поиск по сайту
 
Выберите модель


Другие модели этого раздела.

© 2003 Планар
e-mail: planar@solo.by

www.redgraphic.com Дизайн и
программирование