Установка совмещения и экспонирования ЭМ-5026М1

Установка ЭМ-5026М предназначена для совмещения изображения на фотошаблоне и полупроводниковой пластине и последующего переноса этого изображения с шаблона на пластину контактным (на зазоре) экспонированием фоторезистивного слоя пластины при реализации фотолитографических процессов в производстве интегральных схем и полупроводниковых приборов. При этом усилие сжатия в вакуумном контакте регулируется.

Технические характеристики

Диапазоны рабочих длин волн, нм 225-260; 280-335*; 350-450* Фотолитографическое разрешение, мкм 0.4 ... 0.6 Производительность ( t эксп=5с, без учета t совм), пластин/ч 60 Неравномерность освещенности рабочего поля диаметром 70 мм, % 3 Случайная составляющая погрешности совмещения, нм ± 100 Диаметр обрабатываемых пластин в режиме автоматической загрузки, мм 16*;20*;25*;30*;40*;50*;60 Размер фотошаблонов, мм 76 х76*, 102 х102 Чувствительность привода манипулятора совмещения   - по X, Y, нм 10 - по углу, секунд 0.1 Электропитание 230 В, 50 Гц Потребляемая мощность 1 кВт Масса установки 350 кг

*Поставляется по специальному заказу.