Установка совмещения и экспонирования ЭМ-5026АM

Установка ЭМ-5026АМ предназначена для совмещения изображения на фотошаблоне и полупроводниковой пластине и последующего переноса этого изображения с шаблона на пластину контактным (или на зазоре) экспонированием фоторезистивного слоя пластины при реализации фотолитографических процессов в производстве интегральных схем и полупроводниковых приборов. При этом усилие сжатия в вакуумном контакте регулируется.

Технические характеристики

Диапазоны рабочих длин волн, нм 225-260; 280-335*; 350-450* Фотолитографическое разрешение, мкм 0.4 ... 0.7 Производительность ( t эксп=5с, без учета t совм), пластин/ч 120 Неравномерность освещенности рабочего поля диаметром 110 мм, % 5 Случайная составляющая погрешности совмещения, нм ±100 Диаметр обрабатываемых пластин в режиме автоматической загрузки, мм 50*;60*;76;100* Размер фотошаблонов, мм 102 х102, 127 х127* Чувствительность привода манипулятора совмещения   - по X, Y, нм 10 - по углу, секунд 0.1 Электропитание 230 В, 50 Гц Потребляемая мощность 1 кВт Масса установки 400 кг

*Поставляется по специальному заказу